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CATEGORY OVERVIEW
材料体系
开关电源用 Mn-Zn 低损耗铁氧体，覆盖 100kHz 级主功率变换；高磁导率型号兼顾小体积高感量，高 Bs / 高 Tc 型号面向高温大电流场景。
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CONVENTIONAL POWER
常规功率材料
开关电源用 Mn-Zn 低损耗铁氧体，覆盖 100kHz 级主功率变换；高磁导率型号兼顾小体积高感量，高 Bs / 高 Tc 型号面向高温大电流场景。
功率损耗 Pcv：B=200mT、f=100kHz 正弦波下 25/80/100/120℃ 的典型值（kW/m³）。
| 牌号GRADE | 初始磁导率 μiTYP. ±25% | 功率损耗 PcvkW/m³ (25/80/100/120℃) | 饱和磁通密度 BsmT | 剩磁 BrmT | 矫顽力 HcA/m | 居里温度 Tc℃ | 电阻率 ρvΩ·m |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2300 ±25% | 600/430/410/500 | 510 | 390 | 14 | 215 | 6.5 | |
| 2400 ±25% | 600/350/310/400 | 510 | 400 | 13 | 215 | 6.5 | |
| 2500 ±25% | 600/330/280/360 | 530 | 410 | 13 | 230 | 5 | |
| 2200 ±25% | 700/380/350/420 | 540 | 450 | 14 | 255 | 5 | |
| 3300 ±25% | 350/280/290/350 | 530 | 420 | 12 | 220 | 6.5 | |
| 3300 ±25% | 290/265/290/330 | 530 | 430 | 12 | 220 | 7 | |
| 3500 ±25% | 260/280/310/350 | 530 | 410 | 10 | 230 | 7 |
02
HIGH PERMEABILITY
高导材料
初始磁导率 5500–15000 的高磁导率铁氧体，用于共模电感、信号变压器与抗 EMI 滤波；KW 系列在数百 kHz–1MHz 仍保持高 μi，适配无线充电与高频滤波。
| 牌号GRADE | 初始磁导率 μiTYP. ±25% | 相对损耗因子 tanδ/μi×10⁻⁶ · 100kHz | 饱和磁通密度 BsmT | 剩磁 BrmT | 矫顽力 HcA/m | 居里温度 Tc℃ | 电阻率 ρvΩ·m |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 5500 ±25% | 15 (100kHz) | 410 | 65 | 6 | >140 | 0.3 | |
| 7500 ±25% | 30 (100kHz) | 410 | 65 | 5 | >130 | 0.2 | |
| 10000 ±25% | 30 (100kHz) | 400 | 70 | 3 | >120 | 0.2 | |
| 12000 ±25% | 30 (100kHz) | 390 | 80 | 6 | >115 | 0.15 | |
| 15000 ±25% | 80 (100kHz) | 360 | 100 | 5 | >110 | 0.15 | |
| 5500 ±25% (3000 @1MHz) | <10 (100kHz) | 430 | 70 | 6 | >150 | 1 | |
| 7000 ±25% (3500 @800kHz) | <15 (100kHz) | 430 | 80 | 6 | >150 | 0.3 | |
| 10000 ±25% (9500 @200kHz) | <20 (100kHz) | 410 | 100 | 5 | >130 | 0.2 |
03
HIGH-FREQUENCY POWER
高频功率材料
面向 100kHz–3MHz 功率变换的低损耗铁氧体，用于快充适配器、高频电源、车载与通信设备功率磁件。
| 牌号GRADE | 初始磁导率 μiTYP. ±25% | 损耗指标 | 适用频段 | 饱和磁通密度 BsmT | 居里温度 Tc℃ | 电阻率 ρvΩ·m |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2000 ±25% | Pcv 200 (200kHz·125mT) | 100–200kHz | 450 | 200 | 20 | |
| 1400 ±25% | Pcv 130 (500kHz·50mT) | 100–500kHz | 470 | 230 | 30 | |
| 900 ±25% | Pcv 150 (1MHz·50mT) | 0.5–3MHz | 480 | 280 | 30 | |
| 900 ±25% | Pcv 90 (1MHz·50mT) | 1–3MHz | 530 | 280 | 30 |
04
HIGH-FREQUENCY IMPEDANCE
高频阻抗材料
1–100MHz 高阻抗贫铁材料，相对损耗因子低、标准化阻抗 Z 高，用于 EMI 抑制、信号线滤波与抗干扰磁件。
| 牌号GRADE | 初始磁导率 μiTYP. ±25% | 相对损耗因子 tanδ/μi×10⁻⁶ · 10kHz | 标准化阻抗 ZΩ/mm · 1/25/100MHz | 适用频段f | 饱和磁通密度 BsmT | 居里温度 Tc℃ | 电阻率 ρvΩ·m |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1000 ±25% | tanδ/μi <45 (10kHz) | 4/40/120 (1/25/100MHz) | 1–100MHz | 430 | >180 | 0.3 | |
| 2000 ±25% | tanδ/μi <35 (10kHz) | 8/50/110 (1/25/100MHz) | 1–100MHz | 410 | >150 | 0.2 | |
| 3000 ±25% | tanδ/μi <30 (10kHz) | 9/50/110 (1/25/100MHz) | 1–100MHz | 390 | >130 | 0.2 | |
| 4000 ±25% | tanδ/μi <15 (10kHz) | 10/50/110 (1/25/100MHz) | 1–100MHz | 340 | >110 | 0.15 |
* 典型值；Bs / Br / Hc 取 H=1194 A/m；功率损耗 Pcv 取 B=200mT、f=100kHz 正弦波（高频牌号见对应测试频率）；高导料损耗为 tanδ/μi（×10⁻⁶，100kHz）；MZ 系列阻抗测试环 T25-15-7.5。